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方案检索:

面向GaN功率放大器的电源解决方案2023-11-22

RF前端的高功率末级功放已被GaN功率放大器取代。栅极负压偏置使其在设计上有别于其它技术,有时设计具有一定挑战性;但它的性能在许多应用中是独特的。阅读本文,了解Qorvo的电源管理解决方案如何消除GaN的栅极偏置差......

M12269支持PD3.1等快充协议、140W升降压3-8节多串锂电充放电移动电源管理IC方案2023-01-04

在快充技术持续迭代升级的过程中,充电从小功率向中大功率的转变是最为明显的。支持的快充功率从最初的7.5W,已经向最高240W迈进。PD3.1协议的推出,进一步助力快充加速走向中大功率。新增三种固定电压档:28V(100-......

[原创]TI DRV8300 100V三相BLDC栅极驱动器解决方案2022-08-31

TI公司的DRV8300是100V三个半桥栅极驱动器,能驱动高边和低边N沟功率MOSFET. DRV8300D能采用外接的阴极负载二极管和外接电容产生正确的栅极驱动电压,用于高边MOSFET;而DRV8300N能采用外接的阴极负载二极管和外接电容产......

[原创]TI PMP22817汽车SPI可编程栅极驱动器和偏压电源参考设计2022-08-26

TI公司的PMP22817参考设计提供隔离偏压电源和隔离栅极驱动器,用于牵引逆变器和车载充电器的功率开关.偏压电源和驱动器两者为800VDC总线应用提供高隔离(3-kV RMS一分钟)需要.隔离偏压提供24VDC两种+15V和-5V栅极驱动偏......

[原创]Infineon CC80QSG反激拓扑电压模式电源控制方案2022-08-23

Infineon公司的CC80QSG是反激拓扑电压模式控制器,工作在准谐振模式和谷开关DCM,以获得功率转换在宽工作范围内的高效率.对于电池充电应用,IC器件提供宽功率范围和广泛综合的保护.器件很容易提供设计,需要最低限度的外......

[原创]Onsemi NCP4307同步整流(SR) MOSFET高性能驱动方案2022-08-22

Onsemi公司的NCP4307是用于多个高性能开关电源拓扑的同步整流(SR)MOSFET的高性能驱动器.器件从内部的200V CS引脚自供电,使得高边配置和低VOUT不需要辅助电源.双VCC引脚选择最佳的VCC源来最大限度降低损耗,因此为各种......

[原创]Maxim MAX34427 SMBUS双路高动态范围储能器解决方案2022-08-19

Maxim公司的MAX34427是SMBUS双路高动态范围储能器,具有很宽的动态范围(20000:1),能精确测量这样系统的功率.器件配置和监测了标准的I2C/SMBus串行接口.单向电流传感器提供精确高边工作和低的满刻度检测电压.器件自动收......

[原创]Power Integrations InnoSwitch4-CZ 140W USB PD 3.1充电器参考设计DER-9662022-08-18

Power Integrations 公司的InnoSwitch4-CZ系列产品是有源箝位集成电路,能大大改善反激功率转换器的效率,特别是需要紧凑形体系统的转换器. InnoSwitch4-CZ系列在单个IC中集成了初级和次级控制器, 750V初级PowiGaN功率......

[原创]Infineon IMBF170R1K0M1 1700V SiC MOSFET三相功率转换器解决方案2022-08-17

Infineon公司的IMBF170R1K0M1是CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFET,采用TO-263 7L表面安装器件(SMD)封装,漏极和源极的爬电距离大约为7mm,这样安全标准很容易满足.单独驱动器的源引脚有助于降低栅极回路寄生电感......

[原创]TI LP87745-Q1 AWR和IWR雷达传感器降压转换器解决方案2022-08-15

TI公司的LP8774x-Q1是满足各种汽车和工业雷达应用的AWR和IWR MMIC功率管理要求的器件.器件具有三个降压DC/DC转换器,一个5V升压转换器和1.8V/3.3V LDO. LDO由升压转换器供电,打算给xWR IO供电.器件由SPI串行接口和使能......
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