面向GaN功率放大器的电源解决方案

RF前端的高功率末级功放已被GaN功率放大器取代。栅极负压偏置使其在设计上有别于其它技术，有时设计具有一定挑战性；但它的性能在许多应用中是独特的。阅读本文，了解Qorvo的电源管理解决方案如何消除GaN的栅极偏置差异。

如今，电子工程师明白GaN技术需要栅极负电压工作。这曾经被视为负面的——此处“负面”和“负极”并非双关语——但今天，有一些技术使这种栅极负压操作变得微不足道。今天，我们拥有电源管理集成电路（PMIC）器件，可以轻松可靠地为这些GaN PA通电和断电，以及PMIC所带来更多其他优势。我们将在下面详细介绍。

在这篇博客文章中，我们将解读PMIC如何用于设计和控制雷达、无线基础设施、卫星通信和其他应用中的RF GaN PA技术。我们还将探讨PMIC如何帮助优化射频前端（RFFE）设计以获得最佳性能。

在往期博文中，我们探讨了在RFFE中使用GaN 功率放大技术进行设计时遇到的障碍。以下是对相关内容的回顾：

从电力供应的角度来看，还有其他障碍——比如：

事实上，采用PMIC可完全消除上述障碍。

在许多RF放大器系统中，RFFE的电源轨很可能为开关电源。这些开关电源具有高电压摆动和高斜率，这会增加噪声的可能性。此外还会产生少量的电源调制噪声，如测量的电源调制比（PSMR）。该PSMR是对调制到RF发射载波上的缺陷（纹波和噪声）的测量。可以使用非隔离的RF负载点调节器（PMIC中的RF PoL）来减少或消除这种噪声。实施RF PoL/PMIC可为RFFE应用带来最佳运行所需的高精度电压轨、快速动态响应负载，和低噪声。

对于RF功率放大器应用而言，纯净的发射器信号并避免电源干扰非常重要，以免在载波频率周围产生尖峰（其他线路辐射）。这正是RF PoL的优势所在；它能产生高输出电压，有助于优化功率放大器的效率，控制功率放大器件的额定值，并构建一个可调的控制回路，从而提供一个低噪声电源。如下图所示，借助SiC FETs、 ACT43950和ACT43850这三种电源链器件，可以获得全功能的低噪声电源链。

上述PMIC框图分解如下：

GaN PA PMIC控制器..

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