[原创]On Semi NCP51820氮化镓GaN功率开关高速半桥驱动方案

On Semi公司的NCP51820是高速栅极驱动器,设计满足驱动增强模式(e−mode)高迁移率晶体管(HEMT)和栅极注入晶体管(GIT),以及离线半桥功率拓扑的氮化镓GaN功率开关严格要求. NCP51820提供先进的电平转移技术,具有短匹配传播延迟,高边驱动时共模电压范围−3.5 V 到 +650 V,低边驱动时共模电压范围−3.5 V到 +3.5 V.此外器件提供稳定的dV/dt工作速率高达200 V/ns. NCP51820提供重要的保护功能如单独的欠压锁住(UVLO),监视VDD偏压和VDDH和VDDL驱动偏压以及基于器件结温的热关断.可编死区控制能进行配置以防止交叉导通.器件集成了650V高边和低边栅极驱动器,两路TTL兼容的施密特触发器输入,源电流能力1A,沉电流能力2A.分裂的输出允许单独开/关调节.最大传输时延小于50ns,匹配传输时延小于5ns.主要用在驱动全桥或半桥,LLC,有源箝位反激或正激,图腾极PFC和同步整流器拓扑所用的氮化镓GaN功率晶体管,工业逆变器和马达驱动,以及AC/DC转换器.本文介绍了NCP51820主要特性,内部框图和应用电路,几种应用案例,以及300W超高功率密度NCP51820 HB GaN驱动器评估板主要特性,电路图,材料清单和PCB设计图.

The NCP51820 high−speed, gate driver is designed to meet thestringent requirements of driving enhancement mode (e−mode), highelectron mobility transistor (HEMT) and gate injection transistor(GIT), gallium nitrade (GaN) power switches in off−line, half−bridge

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