[原创]ST STGAP2SICSNSiC MOSFET 4A隔离栅极驱动器解决方案

ST公司的STGAP2SICSN是单路栅极驱动器,在栅极驱动通路和低压控制以及接口电路间提供电流隔离.栅极驱动器具有4A驱动能里和轨到轨输出,使得器件也适合用在中高功率应用如工业应用方面的电源转换和马达驱动器逆变器.器件提供两个不同的配置.分立输出引脚的配置通过采用专用的栅极电阻能单独地优化开态和关断状态,具有单个输出引脚和米勒CLAMP功能防止半桥拓扑中快速换向所产生的尖峰.两种配置都提供了高度灵活性和降低外接元件的材料清单.器件集成的保护功能包括SiC MOSFET最佳的UVLO值和热关断在高可靠性系统的灵活设计.双输出引脚允许选择控制信号的极性和实现HW互锁保护,以避免控制器出现故障时的交叉导通.输入到输出传输时延在75ns之内,提供高的PWM控制精度.为了降低成本空闲功耗也提供了待机模式.器件的高压轨高达1700V,@25 C驱动器电流能力为4A沉/源.整个温度范围内dV/dt瞬态免疫力为±100 V/ns,栅极驱动电压高达26V,3.3 V, 5 V TTL/CMOS带延迟的输入,温度关断保护,以及待机功能. 4.8 kVPK隔离,窄体SO-8封装.主要用在家用电器,工厂自动化,工业驱动和风扇的马达驱动,600/1200V逆变器,电池充电器,电感加热,焊接,UPS,电源单元,DC/DC转换器和PFC.本文介绍了STGAP2SICSN主要特性,两种框图和多种配置图,以及演示板EVSTGAP2SICSN主要特性,电路图,材料清单和PCB设计图.

The STGAP2SICSN is a single gate driver which provides galvanic isolation betweenthe gate driving channel and the low voltage control and interface circuitry.

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