全新第八代 1200V IGBT IGBT －模块平台提供适合工业应用的基准效率和耐用性

使用IR新一代绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) IGBT - 模块 技术平台，第八代 (Gen8) 1200V IGBT IGBT - 模块 配备新一代沟道栅极场截止技术，为工业及节能应用提供卓越性能。全新的 Gen8 设计可让高性能 Vce(on) 降低功耗及增加功率密度，并可提供超卓的耐用性带刷DC电机驱动器。

IR新技术针对带刷DC电机驱动器电机驱动应用提供更好的软关断功能，有助于把 dv/dt 降到最低，从而减少电磁干扰、抑制过压，从而提升可靠性与耐用性。这个平台的参数分布较窄，在高电流功率模块内并联起多个 IGBT IGBT - 模块
之时，可提供出色的电流分配。薄晶圆技术则改善了热电阻和达到 175°C 的最高结温。
性能指标

正向压降
IR带刷DC电机驱动器工业电机驱动应用的要求之一便是在IGBT导通过程中实现最低的压降

IR Gen 8 IGBTs

竞争产品A

竞争产品B

INOM

100 A

100 A

100 A

VCE(ON)@25 oC (terminals)

1.9V

2.2V

1.9V

VCE(ON)@150 oC (terminals)

2.2V

2.8V

2.2V

面积

97 mm2

99 mm2

104 mm2

图1 在终端测量的1200V/100A，34mm半桥功率模块的VCE(ON)比较。
上图显示了采用IR Gen 8 IGBT模IGBT - 模块
的34mm 1200V/100A半桥功率模块与市场上两个主要IGBT竞争产品在VCE(ON)方面的比较。在150 oC 下，Gen 8 IGBT的VCE(ON)低于竞争产品A，而占位面积则比竞争产品B更小。
开关特性
对于IGBT的另外一个要求是在关断时具有很低的过冲电压，从而将传导和辐射EMI降至最低，同时防止IGBT出现过压故障带刷DC电机驱动器
。

为了将系统寄生电感所带来的过冲电压最小化， IR  IGBT IGBT - 模块 ..

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