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[原创]On Semi NCP51820+NCP13992 300WGaN适配器解决方案

关键词:电源管理 GaN AC/DC转换器 On Semi NCP51820 NCP13992

时间:2021-08-24 13:36:26       来源:中电网

On Semi公司的NCP51820是高速栅极驱动器,设计以满足驱动离线模式,半桥功率拓扑的增强模式晶体管,高电子迁移率晶体管(HEMT)和栅极注入晶体管(GIT),氮化镓(GaN)功率开关的严格要求.NCP51820具有短和匹配的传输时延和先进的电平转移技术,提供-3.5V到+650V共模电压范围,以用于高边驱动和-3.5V到+3.5V共模电压范围,以用于低边驱动.此外,器件还提供稳定的dV/dt工作速率高达200V/ns.为了完全保护GaN功率晶体管的栅极,采用专用的电压稳压器,以精确维持栅-源驱动信号幅度.电路还稳定驱动器的偏压轨,因此在各种工作条件下,保护了潜在的栅-源过压. NCP51820提供了重要的保护功能如单独的欠压锁住(UVLO),监测VDD偏压和VDDH和VDDL驱动器偏压以及基于芯片结温的热关断(TSD).可编的死区时间控制能防止交叉导通. NCP51820主要用在驱动用在全桥和半桥,LLC,有源箝位反激和正激,图腾柱PFC和同步整流器拓扑的GaN功率晶体管,工业逆变器和马达驱动以及AC/DC转换器.本文介绍了NCP51820主要特性,内部框图和应用电路图,以及基于GaN的超高功率密度适配器300W评估板NCP13992UHD300WGEVB主要特性和指标,电路图,PCB设计图,材料清单以及NCP51820 HB GaN驱动器评估板NCP51820GAN1GEVB主要特性,电路图,材料清单和PCB设计图.

 

The NCP51820 high−speed, gate driver is designed to meet the stringent requirements of driving enhancement mode (e−mode), high electron mobility transistor (HEMT) and gate injection transistor (GIT), gallium nitrade (GaN) power switches in off−line, half−bridge power topologies. The NCP51820 offers short and matched propagation delays with advanced level shift technology providing −3.5 V to +650 V (typical) common mode voltage range for the high−side drive and −3.5 V to +3.5 V common mode voltage range f..

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