[原创]TI UCC27614单路高速GaN/S iC低边栅极驱动器解决方案

TI公司的UCC27614是单路高速GaN/S iC低边栅极驱动器器,能有效驱动MOSFET, IGBT, SiC和GaN功率开关.其峰值驱动强度为10A,降低了功率开关的上升和下降时间,降低开关损耗和增加了效率.UCC27614器件通过改善死区时间优化,脉宽效用,控制回路响应和系统瞬态性能具有小传输时延,从而具有更好的功率级效率.如果系统出现故障,栅极驱动器能快速关断功率级.赋能功能还改善了系统的鲁棒性.许多高频开关电源在功率器件的栅极出现高频噪音,它又注入到栅极驱动器的输出引脚,引起驱动器出现故障.UCC27614由于瞬态反向电流和反向电压的功能,在这样的条件下都能工作得很好.如果VDD电压低于UVLO阈值,MOSFET强大的内部下拉能保持输出低,这种特性进一步增加了系统鲁棒性.UCC27614器件的10A驱动电流,其2mmx2mm SON8封装,改善了系统功率密度.器件的输入和使能引脚能经受高达-10V电压,最大VDD电压为30V.VDD工作范围从4.5V到26V.典型传输时延为17.5ns.工作温度为–40°C 到150°C.主要用在通信开关电源.PFC电路,太阳能电源,马达驱动,高频线路驱动器,脉冲变压器驱动器,以及大功率缓冲器.本文介绍了UCC27614主要特性和优势, 简化应用框图,以及评估板UCC27614EVM主要特性,建立图和配置图,电路图,材料清单和PCB设计图.

The UCC27614 is a single channel, high-speed,low-side gate driver capable of effectively drivingMOSFET, IGBT, SiC, and GaN power switches.

UCC27614 has a typical peak drive strength of10 A, which reduces the rise and fall times ofthe power switches, lowering switching losses andincreasing efficiency. The UCC27614 devices smallpropagation delay yields better power stage efficiencyby improving the dead-time optimization, pulse widthutilization, control loop response, and transientperformance of the system.

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