[原创] TI UCC21750单路高达1700V SiC和IGBT栅极驱动方案

TI公司的UCC21750是设计用于1700V SiC MOSFET和IGBT单路隔离的栅极驱动器,具有先进的保护特性,业界最好的动态性能和鲁棒性以及高达±10-A峰值源电流和沉电流.输入和输出的隔离采用SiO2电容隔离技术,支持高达1.5-kVRMS工作电压,2.8-kVPK抗浪涌和大于40年的隔离寿命,以及部件和部件间低差别和>150V/ns的共模噪音抑制(CMTI).

UCC21750包括最新的保护特性如快速过流和短路检测,支持并联电流检测,故障报告,有源米勒钳位,输入和输出边电源UVLO,以优化SiC和IGBT开关性能和鲁棒性. M传感器的隔离模拟能用来温度或电压检测,进一步增加了驱动器的多样功能,从而简化了系统摄,尺寸和成本.工作温度–40°C 到125°C,主要用EV的牵引逆变器,板上充电器和DC充电站,工业马达驱动,服务器,通信和工业电源以及不间断电源(UPS).本文介绍了UCC21750主要特性,功能框图,典型应用电路图以及评估模块UCC21732QDWEVM-025主要特性,电指标,框图,电路图和各种测试建立图,材料清单和PCB设计图.

The UCC21750 is a galvanic isolated single channelgate drivers designed for up to 1700V SiC MOSFETsand IGBTs with advanced protection features, bestin-class dynamic performance and robustness.UCC21750 has up to ±10-A peak source and sinkcurrent.

The input side is isolated from the output side withSiO2 capacitive isolation technology, supporting up to1.5-kVRMS working voltage, 12.8-kVPK surge immunitywith longer than 40 years Isolation barrier life, as wellas providing low part-to-part skew, >150V/nscommon mode noise immunity (CMTI).
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