[原创] Infineon 950 V CoolMOS P740W适配器解决方案

Infineon公司的950 V CoolMOS™ P7是适用于反激拓扑和功率因素修正(PFC)精心设计的器件,输出功率从10W到150W,是PFC和反激拓扑结构的理想之选.器件配有集成的齐纳二极管ESD保护.与同类竞争技术相比,具有同类产品最佳的效率和热性能,有高达0.2%的出色效率增益,并可将MOSFET温度降低高达5.2℃.主要用在从照明,智能电表,手机充电器,笔记本适配器到AUX电源和工业SMPS等各种应用.本文介绍了950 V CoolMOS™ P7主要特性和优势,以及采用950 V CoolMOS™ P7和ICE2QS03G 40W适配器评估板主要特性,电路图,材料清单和PCB设计图.

最新的950 V CoolMOS™ P7技术专注于低功率SMPS市场，旨在满足高压MOSFET领域不断增长的消费者需求。这款全新的P7系列产品适用于各种应用，从照明、智能电表、手机充电器、笔记本适配器到AUX电源和工业SMPS。新型950 V CoolMOS™ P7系列比其前代产品900 V CoolMOS™ C3提供高50 V的阻断电压，在效率、热性能和易用性方面表现出色。

与所有其他P7系列产品一样，950 V CoolMOS™ P7系列也配有集成的齐纳二极管ESD保护。该集成二极管显著提高了ESD稳健性，从而降低了与ESD相关的产量损失，并达到了极高的易用性水平。CoolMOS™ P7采用一流的3 V VGS(th)和仅±0.5 V的偏差，使得它很容易驱动和实现设计导入。

凭借20多年的超级结技术经验，英飞凌推出具有一流DPAK导通电阻(RDS(on))的950 V
CoolMOS™ P7。此SMD器件的RDS(on)为450 mΩ - 与最接近的竞争产品相比，RDS(on)降低了60%以上。如此低的RDS(on)值可实现更高密度的设计，同时降低BOM和装配成本。

与竞争产品相比，950 V CoolMOS™ P7具有同类最佳的效率和热性能。在90 VAC下的 40 W适配器参考设计中即插即用，采用无缓冲器概念，与同类竞争技术相比，具有高达0.2%的出色效率增益，并可将MOSFET温度降低高达5.2℃。

950 V CoolMOS™ P7主要特性:

››一流的FOM RDS(on) Eoss；›
降低的Qg、Ciss和Coss
››一流的450 mΩ DPAK RDS(on)..

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