大联大品佳集团力推英飞凌高效UPS解决方案

2016年11月24日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳推出英飞凌（Infineon）最新的650V TRENCHSTOP™ 5 IGBT，对传统技术的一次突破，重新界定IGBT同级最佳效能。

该款器件采用TRENCHSTOP™ 5技术的新一代薄晶圆IGBT（绝缘栅双极晶体管），与当前领先的解决方案相比，该产品大大降低了导通和开关损耗，提高系统效率及功率密度并降低系统成本。凭借这一重大突破，英飞凌在IGBT性能方面设定了新基准，并继续在要求持续提升效率的市场占据领先位置。

由于击穿电压增加到650V，该全新技术为设计带来了更高的安全裕度。目标应用为不间断电源（UPS）、光伏逆变器、和逆变焊机等应用中常见的升压PFC（AC/DC）级和高压DC/DC拓扑。

TRENCHSTOP™ 5为两个产品系列奠定了基础。HighSpeed 5（H5）是易用型软开关高速IGBT，用于即插即用取代现有的IGBT，因为其可轻松融入产品设计之中。H ighSpeed 5 FAST（F5）是迄今为止最高效的IGBT，譬如，采用“H4 bridge”拓扑的UPS逆变器的系统效率达到了98%以上。

TRENCHSTOP™ 5在IGBT性能方面带来了飞跃，以更高的系统效率和更高的击穿电压，提升了可靠性。这会导致整个平台的系统成本降低。对于那些要求在一个解决方案中具备所有这些特性的客户而言，TRENCHSTOP™ 5是最佳选择。全新的TRENCHSTOP™ 5技术为UPS应用带来了巨大益处。与当今最好的来自英飞凌的HighSpeed（H3）相比，传导损耗降低了超过10%，总开关损耗降低了超过60%。效率的大幅度提升使得可实现更低的工作结温，确保更高的寿命周期可靠性，或实现更高功率密度的设计。譬如，应用测试已经证明采用TO-220封装的TRENCHSTOP™ 5比采用TO-247封装的H3的外壳温度低15%。


图示1-大联大品佳推出的英飞凌TRENCHSTOP™ 5效率测量：3 KVA H4逆变器, 20 kHz开关频率
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