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[原创]Infineon 600V CoolGaN 3600W LLC DC/DC转换器解决方案

关键词:电源管理 DC/DC转换器 CoolGaN Infineon

时间:2022-06-22 16:35:37       来源:中电网

Infineon公司的IGT60R190D1S是600V CoolGaN™增强模式氮化镓(GaN)功率晶体管,它比硅器件具有基本优势,特别是更高的临界电场非常适合功率半导体器件,具有杰出动态开关电阻和更小电容,使得GaN HEMT更适合高速开关应用.GaN功率晶体管最重要的特性是反向恢复性能. Infineon公司的CoolGaN™晶体管没有少数载流子,没有体二极管,不会体现反向恢复.因此,应开关拓扑如图腾柱PFC能用来获得更高效率,例如用在数据中心和服务器电源,以便节省能量和降低营运资本(OPEX).IGT60R190D1S主要特性是增强模式晶体管(通常是OFF态),超快开关,没有反向恢复电荷,低栅极电荷和低输出电荷以及卓越的换向稳定性.器件的主要优势包括改善了系统效率和功率密度,具有更高的工作频率,更低的系统成本和降低EMI.主要用在基于半桥拓扑(图腾柱PFC,高频率LLC和反激)的消费电子SMPS和高密度充电器.本文介绍了氮化镓(GaN)功率晶体管主要特性和优势, IGT60R190D1S主要特性和优势与性能参数(TJ = 25 °C),以及3600W CoolGaN™演示板EVAL_3K6W_LLC_GAN主要特性和电性能指标,演示板所包括5个不同的板的电路图,材料清单和PCB设计图.

 

Gallium nitride (GaN) transistors offer fundamental advantages over silicon. In particular, the higher critical electrical field makes it very attractive for power semiconductor devices with outstanding specific dynamic on-state resistance and smaller capacitances compared to silicon MOSFETs, which makes GaN HEMTs great for high speed switching applications. Gallium nitride transistors can then be operated with reduced dead-times which results in higher efficiency and enables passive cooling. Operation at high switching frequencies allows the volume of passive components to shrink which improv..

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