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[原创]Infineon 1EDF5673K单路增强隔离高压增强型GaN 栅极驱动方案

关键词:电源管理 栅极驱动器 GaN HEMT Infineon 1EDF5673K

时间:2022-05-10 14:20:39       来源:中电网

Infineon公司的1EDF5673K, 1EDF5673F和1EDS5663H是单路增强隔离高压增强型GaN HEMT栅极驱动器. CoolGaN™ 和同类 GaN开关在”开”态需要几mA的连续栅极电流.此外,由于低阈值电压和极快开关瞬态,需要负的”关”电压电平.广泛使用的RC耦合栅极驱动器完全满足这些要求,但是,它受到开关动态的占空比依赖性和特殊状态下缺乏负的栅极驱动的影响. Infineon公司的GaN EiceDRIVER™很容易就解决了这些问题.下面所展示的两个输出级使得零”关”电平能消除任何的占空比依赖性.此外,差分拓扑能提供负的栅极驱动而不需要负电源.但是它需要浮动的电源电压,这和自举电路不兼容.器件是高压GaN功率开关的专用的栅极驱动器件.具有低驱动阻抗特性(源开态电阻0.85 Ω,沉开态电阻0.35 Ω),稳定开态时电阻可编程栅极电流(典型为10mA),可编程负栅极电压以完全避免假开态.输入到输出的时延为37ns,极好的稳定性为(+7/-6 ns).基于无芯变压器(CT)技术的输入到输出的隔离.器件的共模瞬态抗扰度(CMTI) > 200 V/ns.三种封装版本: 1EDF5673K为13引脚LGA封装,绝缘功能1.5kV; 1EDF5673F为16引脚P-DSO封装, 绝缘功能1.5kV; 1EDS5663H为16引脚P-DSO封装,具有增强隔离功能.主要用在JEDEC工业应用如服务器,通信和工业SMPS,适配器和充电器电源.本文介绍了1EDF5673K主要特性, 框图和应用框图,以及2.5kW”图腾柱”PFC应用电路图, CoolGaN™ GIT HEMT 600 V半桥评估板主要性能和极限值,电路图,材料清单和PCB设计图.

 

CoolGaN™ and similar GaN switches require a continuous gate current of a few mA in their "on" state. Besides, due to low threshold voltage and extremely fast switching transients, a negative "off" voltage level may be needed. The widely used RC-coupled gate driver fulfils these requirements, however it suffers from a duty-cycle dependence of switching dynamics and the lack of negative gate drive in specifi..

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