[原创] NXP Kinetis KV1x系列BLDC马达控制系统参考设计

Kinetis V系列KV11x MCU基于ARM Cortex- M0+内核，采用创新型90nm薄膜存储（TFS）闪存工艺技术。KV11x是现有KV10x系列的延伸，提供了更多存储器、更高的引脚数量、额外的FTM和1个FlexCAN串行接口。

KV11x是工业马达控制应用、逆变器和低端电源转换应用的理想之选。

Kinetis KV1x系列的主要特性
性能
基于75MHz ARM Cortex-M0+的内核
存储器和存储器接口
高达128KB的程序闪存
高达16KB的RAM
系统外设
9种低功耗模式，能够根据应用要求实现功耗优化
8通道DMA控制器
SWD接口和Micro Trace缓冲器
位操作引擎（BME）
外部看门狗定时器
高级独立时钟看门狗
存储器映射除法与平方根（MMDVSQ）模块
时钟
32kHz~40kHz或4kHz~32MHz外部晶体振荡器
多功能时钟发生器（MCG），具有锁频环路，可以引用内部或外部参考时钟
安全性和完整性模块
每块芯片均具有80位唯一标识（ID）
硬件CRC模块
通信接口
1个16位SPI模块
1个I2C模块
2个UART模块
1个FlexCAN模块1
定时器
可编程延迟模块
2个面向马达控制/通用应用的6通道FlexTimer（FTM）
4个具有正交解码器功能的双通道FlexTimer（FTM）
16位低功耗定时器（LPTMR）
操作特性
电压范围：1.71V~3.6V
闪存写入电压范围：1.71V~3.6V
温度范围（环境）：–40℃~105℃
模拟模块
2个16位SAR ADC
12位DAC
2个模拟比较器（ACMP），包含1个6位DAC和可编程参考输入
人机接口
通用I/O

图1  Kinetis KV1x系列框图

BLDC马达控制参考设计

本文介绍了如何利用Freedom与Tower System开发板运行和控制无刷DC（BLDC）无传感器应用。

有3款开发板采用2个面向马达控制应用的Kinetis KV系列马达控制MCU。Tower System模块化开发平台和Freedom开发平台面向采用BLDC控制类型的低压低功耗应用。高压平台（HVP）旨在驱动功率高达1kW的高压（115V/220V）应用。

图2  装配Tower系统外形图
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