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[原创]Infineon11kW SiC双向DC/DC转换器参考设计

关键词:电源管理 DC/DC转换器 SiC MOSFET EV充电器 Infineon

时间:2021-03-08 14:21:36       来源:中电网

Infineon公司的REF-DAB11KIZSICSYS参考设计11 kW SiC双向DC/DC转换器是采用1200VIMZ120R030M1H和1700V CoolSiC™ MOSFET1EDC20I12AH,具有双向功率流动和软开关特性,非常适合用于电动汽车车载和离车充电以及能量存储系统(ESS)应用.参考设计提供了完整和全特性硬件和固件解决方案以及用户友好的图像用户接口(GUI).参考设计包涵了CoolSiC™ MOSFET和集成的Infineon驱动器集成电路,XMC控制器,反激控制器,电压稳压器MOSFET,电流传感器,Cypress存储器以及安全芯片.参考设计外形尺寸为33.1 mm x 13.4 mm x 6 mm,功率密度为4.1 W/cm³ (5.5 W/g).本文介绍了CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETIMZ120R030M1H主要特性,最大额度指标和1200V单路高边栅极驱动器1EDC20I12AH主要特性,以及11KW REF-DAB11KIZSICSYS参考设计主要特性,主板,辅助板和控制器板的特性,框图,电路图,材料清单和PCB设计图.

一.IMZ120R030M1H

CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package

The CoolSiC™ 1200 V, 30 mΩ SiC MOSFET in TO247-4 package build on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to combine performance with reliability. In comparison to traditional silicon (Si) based switches like IGBTs and MOSFETs, the SiC MOSFET offers a series of advantages. These include, the lowest gate charge and device capacitance levels seen in 1200 V switches, no reverse recovery losses of the internal commutation proof body diode, temperature independent low switching losses, and threshold-free on-state charact..

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